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科技網站CNET報導，美光科技（Micron）執行長德肯（Mark Durcan）表示，將從2014年第1季開始提供3D快閃記憶體樣品給顧客。

德肯說：「美光也許能更快開始供應3D快閃記憶體，但是目前不確定會不會提前。」他表示，是否提前將因為策略考量，與技術無關。

美光也還未決定，新研發的3D快閃記憶體將應用在哪一類型的終端裝置上，只表示將會用於高階產品上。

德肯指出，3D快閃記憶體的性能優於傳統快閃記憶體，穩定度、耐用性也高，且可大幅降低成本，將帶給消費者高效益。

三星電子日前也率先宣布，將開始量產3D垂直NAND，取名為V-NAND。三星表示，將把這種新快閃記憶體廣泛用在消費者電子產品和企業產品，包括固態硬碟機。

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